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【模拟CMOS集成电路设计】带隙基准（Bandgap）设计与仿真（基于运放的电流模BGR）

news 文章来源：https://blog.csdn.net/qq_45689790/article/details/146161702 2025/4/21 8:12:50

【模拟CMOS集成电路设计】带隙基准（Bandgap）设计与仿真

前言
- 工程文件&部分参数计算过程，私聊~
一、设计指标
- 指标分析：
二、电路分析
三、仿真
- 3.1仿真电路图
- 3.2仿真结果
- (1)运放增益
- (2)基准温度系数仿真
- (3)瞬态启动仿真
- (4)静态电流仿真
- (5)线性调整率仿真
- (6)电源抑制PSR仿真
四、仿真结果汇总
五、总结
六、附件(参数计算+工程文件)

前言

此次设计，使用电流镜结构为基础的 $B an d g a p$ 来满足设计指标，主要目标是在结构简单的前提下满足设计指标要求，本文供学习参考。
关于 $BGR$ 的基础，可以看【笔记：模拟MOS集成电路】带隙基准（基本原理+电流模+电压模电路详解）

文末附带核心管支路关键参数计算方法

工程文件&部分参数计算过程，私聊~

一、设计指标

本次设计指标，如表1所示

在这里插入图片描述
(*线性调节率指输出基准电压随直流VDD的变化率，电源电压从电路正常工作的最小电压起到额定电源电压为止)

指标分析：

本次Bandgap设计，选用的工艺是 $TSMC 18µ m$ 工艺，采用运放结构为基础，设计参数要求电源抑制 $PSR < - 50 d B$ ，如果不考虑具体电路，可以通过提升运放增益、减小BGR输出阻抗和Cascode结构提升PSR性能。
以减小 $BGR$ 输出阻抗提升 $PSR$ 为例进行电路设计，此时 $PSR$ 和整体功耗相互折中，一方面是运放增益尽可能大，另一方面是因为低的输出阻抗会需要大的电流偏置，如果PSR要求放宽，功耗可以迅速下降。
考虑到功耗指标，对电流进行分配，自偏置电流镜两支路共分配 $10µ A$ ，运放分配 $80µ A$ ，两路核心管分别分配 $10µ A$ ，剩余电流分配给输出级。
本次设计电源电压 $3.3 V$ ，对于TSMC18工艺， $“ p m os 3 v ”$ 晶体管， NMOS器件，选取 $“ nm os 3 v ”$ 晶体管。
优化措施也有很多，比如更换运放结构、采用Cascode层叠电流镜和单位增益的运放输出buffer等，都可以显著降低PSR然后减小功耗，但是电路会复杂一丢丢。

二、电路分析

通过对表1的指标分析，搭建的电路如图2.1所示。
在这里插入图片描述
$BGR$ 原理此处不再赘述，关于 $BGR$ 的基础，参考:

【笔记：模拟MOS集成电路】带隙基准（基本原理+电流模+电压模电路详解）

另一个电路结构是采用cascode电流镜的结构：

【模拟CMOS集成电路设计】带隙基准（Bandgap）设计与仿真（基于cascode电流镜的电流模BGR）

这种方案的功耗会小很多，此次设计中，因为运放增益相对不高，并没有把“基于运放结构的BGR”优势完全发挥出来，最常见的优化措施，放文章末尾了。下面继续本次设计，输出电压可以表示为：
在这里插入图片描述
对上式求导，得到

典型情况下， $V_{BE}/∂T≈-2mV/K$ ，令 $V_{ref}/∂T=0$ ，选取合适的 $N$ 值，可以得到 $R_1/R_4$ 的关系；然后在 $V B$ 节点应用 $K C L$ ，设定核心管的静态电流 $I_Q$ ，便可解的具体的 $R_1~R_3$ 的具体值；最后根据输出电流镜的复制比 $M$ ，乘以静态电流 $I_Q$ ，得到输出支路电流 $I_{out}$ ，最终的参考电压是 $I_{out}R_4$ 。至此得到 $BGR$ 所有设计参数。
更详细计算过程，看第六部分内容~。

三、仿真

3.1仿真电路图

在这里插入图片描述

3.2仿真结果

(1)运放增益

通过 $a c$ 仿真，仿真得到运放的增益为 $58.637 d B$ ，仿真结果如图3.1所示。
在这里插入图片描述

(2)基准温度系数仿真

通过 $d c$ 仿真，将温度从 $- 25$ ~ $125℃$ 进行扫描，观察输出波形，温度特性良好，基准温度系数： $TCV=\frac{V_{max}-V_{min}}{V_{ref}\times(T_{max}-T_{min})}\times10^{6}=8.46ppm/C$ ，测试结果如图3.3所示。
在这里插入图片描述

(3)瞬态启动仿真

通过 $t r an$ 仿真，通过图3.4，该电路可正常启动。
在这里插入图片描述

(4)静态电流仿真

通过 $t r an$ 仿真，电路稳定时，所有支路的总电流， $209µ A$ 。
在这里插入图片描述

(5)线性调整率仿真

通过 $d c$ 仿真将电源电压从 $0 3.3 V$ 进行扫描，在正常工作电源电压下，测量输出线性调整率： $S_{LINE}=\frac{V_{max}-V_{min}}{V_{ref}}\times100\%=1.03\mathrm{mV/V}$
在这里插入图片描述

(6)电源抑制PSR仿真

通过 $a c$ 仿真，在电源电压加小信号波动，观察输出，测量 $PSR$ ，通过图3.5可知，在低频为 $PSR = - 50.8 d B$ ，最高 $PSR = - 19.4 d B$ 。
在这里插入图片描述

四、仿真结果汇总

本次 $B an d g a p$ 设计，通过仿真测得相关参数，结果汇总如表2所示。
在这里插入图片描述

五、总结

本次Bandgap设计，通过基于运放结构的电路模BGR，因为最终要压低 $PSR$ ，所以减小了负载电阻，为了实现特定输出电压，需要进一步提升输出电流，因此功耗有些高，如前所示，优化措施也有很多，
（1）更换运放结构实现更大的增益；
（2）采用 $C a sco d e$ 层叠电流镜复制电流，有效提升 $PSR$ ；
（3）运放和电流镜栅极之间插入单位增益的运放输出 $b u ff er$ 如图所示。
在这里插入图片描述

六、附件(参数计算+工程文件)

私聊~