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FLASH的特点

1. 可擦写
2. 数据可修改
3. 可重写
4. 访问速度<ROM

Nor flash和nand flash

Nor flash
1、与SDRAM相似，用户可以直接运行装载到NORFLASH里面的代码，减少SRAM的容量
2、其存储并联，可实现一次性直接寻址
3、带SRAM接口，有地址引脚
4、可进行10万次擦写
5、清除数据写1

nand flash

1、大容量，改写速度快
2、产品方向：相机、MP3、记忆卡、U盘
3、存储单元：分为块、页、byte、与硬盘的扇区相同
4、引脚用的IO口，8个引脚根据厂商不同定义而不同
5、清除数据写1
6、可进行100万次擦写

flash的读写

flash 的存储单位

flash 的存储单位是–区–块–扇–页–
F1的flash最小存储单位是页
F4的flash最小存储单位是扇
对于flash的数据，都支持1、2、4字节的写入

flash的读写过程

对于读取
用指针向对应的空间地址就可以直接取数据

data *（vu*）addr;

对于写入
过程：
1、禁止中断
2、flash解锁，禁止数据缓存
3、扇区擦除并检验
4、写入数据
5、开启数据缓存
6、打开中断

flash的读写具体过程网上很多，推荐一篇文章，比较详细：https://blog.csdn.net/qq_34430371/article/details/107093288，代码可以直接用
还有一篇介绍比较详细https://blog.csdn.net/qq_36075612/article/details/124087574?ops_request_misc=&request_id=&biz_id=102&utm_term=stm32flash%E8%AF%BB%E5%86%99%E7%A8%8B%E5%BA%8F&utm_medium=distribute.pc_search_result.none-task-blog-2_allsobaiduweb~default-1-124087574.142^v99pc_search_result_base1&spm=1018.2226.3001.4187
这两篇都是非常好的文章值得大家学习。

注意事项
1、在擦写的过程中可以不用关闭中断，现在的单片机中有stall行为，可以看一下手册或者搜索，在擦除的过程中，是不会进行读取FLASH 操作的，简单来说擦写是互斥的。
2、当单片机中有2个以上的FLASH bank ，中断向量表在一个bank中，擦写其他bank的时候，中断响应是不受影响的。
3、flash写入的时候的限制条件：写入时的起始地址必须是4的倍数，必须在合法的写入地址内。
4、其他注意事项在下一篇：flash（2）中提及，可以看下篇文章。