西安企业seo/优化游戏卡顿的软件

上一节,我们重点介绍了array的存储结构。

本节介绍array周边的电路,对DDR的基本读写操作的相关功能模块的理解。

即通过哪些模块可以实现对ddr的基本读写。最简化的方式是把存储操作理解为行列选择，拆分为横竖两个纬度，最终实现对arrary进行读写。横向有地址选择和竖向对数据的存/取，如下图3.1所示：

 

图3.1 SRAM cell array功能框图

Address Decoder（横向）：地址解码器，使用输入1或0的组合来选择cell的地址，控制输出到1个选择引脚wordline。（相当于input 为 n bits时，输出访问2^n个地址）

Data input/output (竖向）：数据的输入/输出是独立引脚时，设计简单。写周期存（input)，读周期取(output)。如果为了降低chip面积，可以使用输入输出共享1个引脚，但需要3态buffer来缓存数据。如读周期，使能buffer。

1. cell的读写操作

再深入一点，把图3.1细化成图3.2： Precharge（EQ），地址译码和选通，信号敏感放大，IO gating(read mux控制cell连通到外部电路），write driver(写入电路)。

 

图3.2  DRAM的基本框架

从以上的DRAM cell结构, 可以把逻辑设计对DRAM cell的操作分为3类：

refresh操作：Refresh memory cell

读操作：从memory cell读取数据

写操作：写数据到memory cell

单元电路如何实现refresh,读出和写入？

refresh操作：precharge, access,sense和restore

读操作：precharge, access,sense,restore,IO gating

写操作：precharge, access,sense,restore,IO gating和write driver

即每个操作的过程，包括：precharge, access,sense和restore的过程，当写cell的时候，还需要最后写动作。

1.1.读操作/refresh

2.1.1 Precharge（稳定Vref的电压）

在这个阶段，首先会通过控制 EQ 信号，让 Te1、Te2、Te3 晶体管处于导通状态，将 Bitline 和 /Bitline 线上的电压稳定在 Vref （= Vcc/2）。然后进入到下一个阶段。

 

 

2.1.2 Access（cell值电容给Vref充电为Vref+）

经过 Precharge 阶段， Bitline 和 /Bitline 线上的电压已经稳定在Vref 上了，此时，通过控制 Wordline 信号，将 Ta 晶体管导通。Storage Capacitor 中存储正电荷会流向 Bitline，继而将 Bitline 的电压拉升到Vref+。然后进入到下一个阶段。（如果此时cell电容为0，则Vref为放电到Vref-)

 

2.1.3 Sense

由于在 Access 阶段，Bitline 的电压被拉升到 Vref+，Tn2 会比 Tn1 更具导通性，Tp1 则会比 Tp2 更具导通性。
此时，SAN (Sense-Amplifier N-Fet Control) 会被设定为逻辑 0 的电压，SAP (Sense-Amplifier P-Fet Control) 则会被设定为逻辑 1 的电压，即 Vcc。由于 Tn2 会比 Tn1 更具导通性，/Bitline 上的电压会更快被 SAN 拉到逻辑 0 电压，同理，Bitline 上的电压也会更快被 SAP 拉到逻辑 1 电压。接着 Tp1 和 Tn2 进入导通状态，Tp2 和 Tn1 进入截止状态。（同理，如果cell为0时，Vref-则会把Tn1和Tp2导通，Bitline的电压会被拉到0电压，/Bitline为电压Vcc）
最后，Bitline 和 /Bitline 的电压都进入稳定状态，正确的呈现了 Storage Capacitor 所存储的信息 Bit。

 

2.1.4 Restore

在完成 Sense 阶段的操作后，Bitline 线处于稳定的逻辑 1 电压 Vcc，此时 Bitline 会对 Storage Capacitor 进行充电。经过特定的时间后，Storage Capacitor 的电荷就可以恢复到读取操作前的状态。

注：因为WL让电容和sense amp导通后，电子会流出，电容的内容会丢失，这是一种破坏性的读取，所有读出后，还需要存回去。

最后，通过 CSL 信号，让 Tc1 和 Tc2 进入导通状态，外界就可以从 Bitline 上读取到具体的信息。

 

2.1.5 Timing

整个 Read Operation 的时序如下图所示，其中的 Vcc 即为逻辑 1 所对应的电压，Gnd 为逻辑 0。

 

1.2 写操作

Write Operation 的前期流程和 Read Operation 是一样的，执行 Precharge、Access、Sense 和 Restore 操作。差异在于，在 Restore 阶段后，还会进行 Write Recovery 操作。

1.2.1 Write Recovery

在 Write Recovery 阶段时，通过控制 WE (Write Enable) 信号，让 Tw1 和 Tw2 进入导通状态。此时，Bitline 会被 input 拉到逻辑 0 电平，/Bitline 则会被 /input 拉到逻辑 1 电平。经过特定的时间后，当 Storage Capacitor 的电荷被 Discharge 到 0 状态时，就可以通过控制 Wordline，将 Storage Capacitor 的 Access Transistor 截止，写入 0 的操作就完成了。

 

参考链接：

​​​​​​​

1. https://web.wpi.edu/Pubs/E-project/Available/E-project-032714-144117/unrestricted/Demonstration_of_SRAM_Design_with_LED_Cube_Display.pdf
2. https://www.ndsu.edu/pubweb/~nagong/index_files/conference/C20.pdf
3. DRAM 原理 1 ：DRAM Storage Cell