stm32Flash操作
//G0B0 flash大小 0x08000000-0x0807FFFF 512K(0400 1K)//2k 1页
//初始化标记数据地址 放最前面 脱机烧写器可擦除掉
#define CONST_INITMARKDATA_ADDRESS (0x0807D000UL) //2k 1页
//射频数据地址
#define CONST_FREQDATA_ADDRESS (0x0807F000UL) //2k 1页
//本振数据地址
#define CONST_BWLODATA_ADDRESS (0x0807F800UL)//用户数据标记
#define CONST_USERDATA_ACTIVECOOKIE (0xFEDCCDEF)
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__align(8) static uint8_t flashWriteBuf[2048];
__align(8): 用于指定存储在内存中的变量的对齐方式为 8 字节。对齐的目的是为了优化内存访问,确保变量在内存中的地址是某个值的倍数(这里是 8 字节)。这通常对于某些硬件和特定的数据结构是必要的。static: 用于指示该变量的存储持续时间为整个程序的执行期间。在这里,flashWriteBuf是一个静态变量,它在程序的整个执行期间都存在,并且其生命周期延伸到整个程序的运行时间。
这行代码定义了一个静态的、对齐为 8 字节的、包含 2048 个无符号8位整数的数组 flashWriteBuf。
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为什么要使用 __align(8),以及对齐方式在内存中的表现是什么样的?
在C语言中,对齐方式是指变量在内存中的存储起始位置相对于地址的偏移量。
对齐的主要目的是优化内存访问速度,特别是对于一些体系结构或硬件,它们可能要求某些数据类型的变量从特定地址开始。
-
访问速度: 在某些架构中,对齐的数据访问速度更快。例如,某些处理器可能要求访问 4 字节整数从4字节对齐的地址开始,否则可能会引发性能损失或错误。
-
缓存行: 许多处理器以缓存行为单位加载数据到缓存中。如果变量的首地址是缓存行对齐的,那么对该变量的访问可能会更加高效。
-
硬件限制: 某些硬件要求特定数据类型从特定对齐方式的地址开始。如果不满足这些要求,可能会导致硬件异常或性能下降。
在具体的应用场景中,选择对齐方式通常是为了优化性能或者满足硬件的要求。然而,过度的对齐可能会导致内存空间的浪费。在实际开发中,对齐的选择需要根据具体的硬件和性能需求进行权衡。
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1. 实现逻辑:
uint8_t* coreFlashAcquireWriteBuffer(void)
{return flashWriteBuf;
}
该函数返回一个 uint8_t 类型的指针。函数体内只有一条语句,即返回名为 flashWriteBuf 的静态数组的首地址。
主要目的是获取可用于写入的缓冲区。由于返回的是指向 uint8_t 的指针,可以将这个指针用于写入字节数据。
2. 主要目的和适用场景:
这段代码的主要目的是提供一个接口,允许外部模块或函数获取一个可用于写入的缓冲区。
这种模式常见于需要进行数据写入或者数据缓冲的情境,例如将数据写入到 Flash 存储器中。
适用场景可能包括需要向 Flash 存储器写入数据的任务。通过调用 coreFlashAcquireWriteBuffer 函数,程序可以获取一个缓冲区,然后将待写入的数据写入该缓冲区。
这种设计允许程序灵活地控制数据的写入,同时提供了一种有效的机制来管理数据的写入操作。
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1. 实现逻辑:
static uint32_t getPage(uint32_t addr)
{uint32_t page = 0;/* Bank 1 */page = (addr - FLASH_BASE) / FLASH_PAGE_SIZE;return page;
}
这段代码定义了一个静态函数 getPage,接受一个 uint32_t 类型的地址参数,计算并返回与该地址相关的页面号(page number)。在这个实现中,页面号被计算为地址相对于基地址 FLASH_BASE 的偏移量除以页面大小 FLASH_PAGE_SIZE。
2. 主要目的和适用场景:
主要目的是根据给定的地址计算出相应的页面号。
在嵌入式系统中,Flash存储器通常分为多个页面,每个页面存储一定量的数据。
获取地址对应的页面号可以用于确定数据在Flash中的位置。
适用场景可能包括在程序中管理Flash存储器的情况,比如需要存储和检索数据到Flash中的特定页面。通过调用 getPage 函数,程序可以获得给定地址所在的页面号,然后使用这个页面号进行相应的操作,例如擦除或写入数据。
总体而言,这个函数是一个用于获取地址对应页面号的工具函数,可以用于在嵌入式系统中管理Flash存储器中的数据。
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1. 实现逻辑:
int32_t coreFlashWrite(void* dstAddr, const void* srcAddr, const uint32_t size)
{//...(变量定义和初始化)//初始化FLASH_EraseInitTypeDefFLASH_EraseInitTypeDef eraseInitStruct = {0x00};int32_t ret = ERR_FLASHOP_OK; // 返回值//判断入参正确if (!srcAddr || !dstAddr || 0 == size){return ERR_FLASHOP_PARAM_INVAL;}if (0 != ((uint32_t)srcAddr & 0x00000007)){return ERR_FLASHOP_SRCADDR_UNALIGN;}if (0 != ((uint32_t)dstAddr & 0x00000007)){return ERR_FLASHOP_DSTADDR_UNALIGN;}//获取要擦除的第一页firstPage = getPage((uint32_t)dstAddr);//获取要从第一页擦除的页数nbOfPages = size / FLASH_PAGE_SIZE + (size % FLASH_PAGE_SIZE ? 1 : 0);eraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;eraseInitStruct.Page = firstPage; // 擦除起始页eraseInitStruct.NbPages = nbOfPages; // 擦除页数HAL_FLASH_Unlock(); // Flash解锁__disable_irq(); // 擦除前需要关闭中断if (HAL_FLASHEx_Erase(&eraseInitStruct, &pageError) != HAL_OK){__enable_irq();ret = -ERR_FLASHOP_FAIL_ERASE;goto exit;}__enable_irq();//开始写入FlashflashAddress = (uint32_t)dstAddr;nWriteAll = size;while (nHasWrite < nWriteAll){// 以64位为单位写入数据srcDW = *(uint64_t*)((uint32_t)srcAddr + nHasWrite);if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, flashAddress, srcDW) == HAL_OK){flashAddress += 8;nHasWrite += 8;}else{ret = ERR_FLASHOP_FAIL_PROG;goto exit;}}exit:HAL_FLASH_Lock(); // Flash加锁return ret;
}
2. 主要目的和适用场景:
这段代码的主要目的是实现Flash存储器的写入操作。该函数接受目标地址 dstAddr、源地址 srcAddr 和写入大小 size 作为参数,首先擦除目标地址所在的Flash页面,然后将数据从源地址写入到目标地址。
适用场景可能涉及到需要在嵌入式系统中进行Flash存储器的写入操作,例如在固件更新或配置保存等场景。
3. 使用的关键字和修饰符:
static: 该函数没有使用static关键字,因此在其他文件中可以访问。uint32_t,void,const: 这些是数据类型,用于声明参数和变量的类型。FLASH_EraseInitTypeDef: 这是一个结构体类型,用于配置Flash擦除的初始化参数。HAL_FLASH_Unlock(),HAL_FLASH_Lock(): 这些是由HAL(Hardware Abstraction Layer)提供的函数,用于解锁和锁定Flash。
总体而言,这是一个用于在嵌入式系统中进行Flash存储器写入的函数,包括擦除和写入两个步骤。============================================================================
1. 实现逻辑:
bool initMarkDataIsActive(void)
{const volatile initMarkDataFlash_t* rawPtr = (const volatile initMarkDataFlash_t*)CONST_INITMARKDATA_ADDRESS;return (rawPtr->active == CONST_USERDATA_ACTIVECOOKIE);
}
这段代码定义了一个函数 initMarkDataIsActive,该函数返回一个布尔值。函数内部首先声明了一个指向 initMarkDataFlash_t 结构体类型的 volatile 常量指针 rawPtr,然后将其初始化为指向一个特定地址 CONST_INITMARKDATA_ADDRESS。
函数最后通过比较 rawPtr->active 和 CONST_USERDATA_ACTIVECOOKIE 的值来确定初始化标记数据是否处于激活状态。
2. 主要目的和适用场景:
主要目的是检查初始化标记数据是否处于激活状态。在嵌入式系统中,可能会有一些标记数据用于指示系统的初始化状态,这个函数就是用于检查这些标记数据是否处于激活状态。
适用场景可能包括在系统启动时检查某些初始化数据,以确保系统处于已初始化的状态。
3. 使用的关键字和修饰符:
const,volatile: 这些关键字用于修饰指针rawPtr,指明该指针指向的数据是常量且易变的,这通常用于防止编译器进行一些优化,确保每次访问都会从内存中读取最新的值。
总体而言,这个函数用于检查初始化标记数据是否处于激活状态,返回一个布尔值表示检查结果。
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1. 实现逻辑:
void initMarkDataReadFlash(void)
{const volatile initMarkDataFlash_t *rawPtr = (const volatile initMarkDataFlash_t*)CONST_INITMARKDATA_ADDRESS;if (initMarkDataIsActive()){memcpy(&initMarkDataFlash, (void*)rawPtr, sizeof(initMarkDataFlash_t));}
}
函数内部首先声明了一个指向 initMarkDataFlash_t 结构体类型的 volatile 常量指针 rawPtr,然后将其初始化为指向一个特定地址 CONST_INITMARKDATA_ADDRESS。
接着,通过调用 initMarkDataIsActive 函数检查初始化标记数据是否处于激活状态。如果激活,那么通过 memcpy 函数将 Flash 中的数据复制到一个全局变量 initMarkDataFlash 中。
2. 主要目的和适用场景:
主要目的是在系统启动时从 Flash 中读取初始化标记数据。在嵌入式系统中,初始化标记数据可能包含一些配置信息或者系统状态,该函数的目的是将这些数据读取到内存中,以便系统可以使用这些数据进行初始化。
适用场景可能包括在系统启动时加载先前保存的配置或状态信息,以确保系统处于正确的状态。
总体而言,这个函数用于从 Flash 中读取初始化标记数据,如果数据处于激活状态,则将其复制到全局变量中。
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1. 实现逻辑:
int32_t initMarkDataSyncFlash(void)
{int32_t ret = 0;//用户数据写入ret = coreFlashWrite((void*)CONST_INITMARKDATA_ADDRESS, (void*)&initMarkDataFlash, sizeof(initMarkDataFlash_t));return ret;
}
函数内部首先声明了一个整数变量 ret,用于存储函数执行的结果。
接着,通过调用 coreFlashWrite 函数将全局变量 initMarkDataFlash 中的数据写入到 Flash 中的指定地址 CONST_INITMARKDATA_ADDRESS。
最后,函数返回执行的结果。
2. 主要目的和适用场景:
主要目的是将全局变量 initMarkDataFlash 中的数据同步到 Flash 中的指定地址。在嵌入式系统中,这可能用于将配置或状态信息保存到 Flash 中,以便在系统重新启动时恢复状态。
适用场景可能包括在系统运行时修改了一些配置或状态信息,希望将这些更改保存到持久性存储中。
总体而言,这个函数用于将全局变量中的数据写入到 Flash 中的指定地址,返回一个表示执行结果的整数值。
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